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SKハイニックス、高性能「4D」NAND型フラッシュ開発
記事入力 2018-11-04 17:14 | 記事修正 2018-11-07 16:11:40
SKハイニックスは既存の3D NAND型フラッシュメモリ製品よりも一段階進化した「4D NAND型フラッシュメモリ」の開発に成功した。

SKハイニックスは4日、3D NANDフラッシュメモリに採用されるCTF(Charge Trap Flash)の構造に、PUC(Peri Under Cell)技術を組み合わせた96段512Gb(ギガビット)級のTLC(トリプルレベルセル)4D NAND型フラッシュメモリを世界で初めて開発し、年内に量産に突入すると明らかにした。

CTFは、既存の2D NAND型フラッシュメモリで主に使用された「フローティングゲート」の限界を克服するために、セル間の干渉を最小化して、性能と生産性を革新的に改善した技術で、大部分のメモリメーカーで3D NAND型の生産に活用している。

PUCはデータを格納するセルの下部領域にセルの動作を制御する周辺回路を配置する技術で、空間を最大限に活用することができる。 NAND型製品のCTFとPUCの両方の技術を同時に適用したのはSKハイニックスが最初だ。SKハイニックスはCTFを基盤に初めてPUC技術を導入したという点を強調するために、製品名に「4D」を冠した。

SKハイニックスはこの製品を通じて、既存の72段512Gb 3D NAND型よりもチップサイズは30%以上も削減しつつ、書き込みと読み取り性能は72段製品に比べてそれぞれ30%と25%向上させた。特に今回の製品1本で、これまでの256ギガバイト3D NAND型2つを完全に置き換えることができ、コスト面でも非常に有利だというのがメーカー側の説明だ。

また、新しい設計技術を導入してデータ転送速度を向上させ、動作電圧を下げて電力効率を改善したと付け加えた。

去る8月に米国サンタクララで開催された「フラッシュメモリサミット(Flash Memory Summit)」で、4D NAND型基盤の次世代NAND型フラッシュ・ソリューションを発表する計画を明らかにしたSKハイニックスは、96段512Gb 4D NAND型を搭載した1TB(テラバイト)容量の消費者向けSSD(ソリッドステートドライブ)を年内に発売する計画だ。ヒューレット・パッカードとマイクロソフトなど、大規模な顧客の認証を受けて事業を本格化している72段基盤のエンタープライズSSDも、来年から96段に切り替えて企業向けSSD事業の競争力をいっそう強化するという戦略だ。

次世代スマートフォンに採用予定のUFS(ユニバーサルフラッシュストレージ)3.0も来年の上半期に発売し、次世代のモバイルソリューション市場の攻略にも乗り出す。

[チョン・ギョンウン記者]


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