国内の研究チームが世界初で、超節電高性能「三進法半導体技術」を大面積ウエハーへの実装に成功した。今後、第4次産業革命時代の核心である人工知能（AI）や自律走行、ロボットなどの技術の発展に及ぼす波及力が大きいと期待される。

17日のサムスン電子によると、キム・ギョンロク蔚山科学技術院電気電子コンピュータ工学部教授の研究チームが、超節電「三進法金属-酸化膜-半導体」を世界で初めて、大面積のシリコンウエハーに実装することに成功した。この研究結果は去る15日、世界的な学術誌『ネイチャーエレクトロニクス』に発表された。

三進法半導体は、現在の2進法を基盤にした半導体よりも大規模な情報を迅速に処理し、集積度を高めて半導体のサイズを小型化すると同時に、消費電力も低減することができる。キム教授の研究チームが開発した三進法半導体は0、1、2の値で情報を処理することにより、情報量を減らしつつ計算速度が速く、これによって消費電力も低い。

また、半導体の小型化にも強みがある。たとえば数値128を表現するためには、2進法では8つのビットが必要だが、三進法では5つのトリートメント（三進法の単位）があれば可能だ。

特に、半導体素子のサイズを減らして集積度を上げるとリーク電流が増える問題が発生するが、キム教授の研究チームは画期的な発想転換で、リーク電流を半導体素子からの情報を処理するために活用するようにした。今回の研究を通じて、現在の半導体産業界で広く使われている半導体製造工程での三進法半導体の実現に成功し、商用化への期待感も高めた。サムスン電子はキム教授チームの研究をサムスン未来技術育成事業指定テーマに選定して、2017年から支援してきた。

サムスン電子はファウンドリ事業部工場のマイクロプロセスで、キム教授チームの三進法半導体の実装を検証している。システム半導体は李在鎔（イ・ヂェヨン）サムスン電子副会長が「ポストメモリ」のために集中的に育成戦略を提示した分野だ。サムスン電子は非メモリー分野への研究開発投資に乗り出す一方で、国内の中小企業を支援するためにさまざまなプログラムを進めている。

一方、サムスン未来技術育成事業は将来の科学技術研究を支援するために、2013年から10年間で1兆5000億ウォンを支援する事業だ。現在までに532件の課題に6826億ウォンを執行した。

[チョン・ギョンウン記者]


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