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サムスン電子、台湾TSMCの追撃を加速...EUVライン増設
記事入力 2020-05-21 17:48 | 記事修正 2020-05-25 16:21:44
サムスン電子は華城事業所に続き、平沢事業場にも極紫外線(EUV)ファウンドリ(半導体受託生産)ラインを構築する。これによりファウンドリ世界1位の台湾TSMCに対する追撃に拍車をかけ、2030年のシステム半導体グローバル1位という目標に一歩近づくという計画だ。

サムスン電子は21日、今月から京畿道平沢事業所第2工場の一部をEUV超微細工程ベースのファウンドリ生産ラインとして構築する作業に着手し、2021年に量産すると発表した。

EUV露光技術は極紫外線を光源とし、半導体の原材料であるウェハに回路を刻む技術だ。既存のプロセスでは不可能な超微細回路を実装することができ、モバイルアプリケーションプロセッサ(AP)などの高性能・低消費電力の半導体を製造成するためになくてはならない技術だ。

今回の投資は李在鎔(イ・ヂェヨン)サムスン電子副会長が昨年4月に宣言した「半導体ビジョン2030」の一環だ。当時、李副会長は2030年までに133兆ウォンを投資して、システム半導体のグローバル1位に上がると述べたことがある。李副会長は平沢のファウンドリラインへの投資の報告を受けた席で、「困難な時ほど将来のための投資を停めるべきではない」とし、システム半導体1位を達成するための先制的な投資の意志を明らかにした。

TSMCは現在、世界ファウンドリー市場で圧倒的な1位を守っており、サムスン電子が継続して追撃している。サムスン電子はEUV技術の主導権を確保することにより、TSMCとのギャップを狭めていくという覚悟だ。

サムスン電子は昨年4月、業界初のEUV工程を適用した7ナノ製品の生産を開始して、超微細プロセス技術のリーダーシップに拍車をかけている。来年は5ナノベースの平沢ファウンドリラインまで稼働すると、サムスン電子の7ナノ以下の超微細工程の半導体製品の生産能力はすばやく増加する見込みだ。

[チョン・ギョンウン記者/ファン・スンミン記者]



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삼성, 평택에도 EUV파운드리

초정밀 시스템반도체 생산
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삼성전자가 화성사업장에 이어 평택사업장에도 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 구축한다. 이를 통해 전 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC 추격에 박차를 가하고, 2030년 시스템반도체 글로벌 1위 목표에 더 다가선다는 계획이다.21일 삼성전자는 이달부터 경기도 평택사업장 2공장 일부를 EUV 초미세 공정 기반의 파운드리 생산라인으로 구축하는 작업에 착수하고 2021년 양산한다고 밝혔다. EUV 노광 기술은 극자외선 광원으로 반도체의 원재료인 웨이퍼에 회로를 새기는 기술이다. 기존 공정으로 불가능한 초미세 회로를 구현할 수 있어 모바일 애플리케이션프로세서(AP..


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