MK News

  • 韓国語
  • 英語
  • 中国語
7月 14日 ソウル 21.4℃weather
pre stop next
プリント ギャップイメージ メール転送 ギャップイメージ リスト
サムスン電子、半導体にも8兆ウォン投資...超格差ひろげる
記事入力 2020-06-01 17:49 | 記事修正 2020-06-03 15:21:58
◆ サムスンNAND型フラッシュメモリに8兆投資 ◆

サムスン電子は去る1日、京畿道平沢事業場に8兆ウォンを投資して、最尖端のNAND型フラッシュメモリの生産ラインを新たに構築すると明らかにした。先月21日に極紫外線(EUV)技術に基づいてファウンドリ(半導体受託生産)ラインづくりに10兆ウォンを投入することにした後、10日ぶりに再び大型投資を決定した。「2030年システム半導体1位」とコロナ19以降の「メモリ超格差維持」を同時に達成するという李在鎔(イ・ヂェヨン)サムスン電子副会長の決断が働いたという評価が出ている。

サムスンは今回の新規投資を通じて、2021年からV NAND型フラッシュメモリを量産する計画だ。NAND型フラッシュメモリはスマートフォンやデータセンターなどのストレージデバイスとして使われる。その中でもV NAND型フラッシュメモリは、ウェーハにデータを格納する「セル」を垂直に積み上げて容量を大きくした製品だ。新たに造成された建物には、先月21日に投資計画を発表したEUVファウンドリラインも構築される予定だ。

サムスンは今回の投資を、△人工知能とモノのインターネットや5Gの普及にともなう需要拡大、△非対面「ライフスタイル」による需要増加などに先制的に備えるためとした。サムスンは10日のあいだにEUVラインの構築に10兆ウォンとNAND型フラッシュラインに8兆ウォンなど計18兆ウォンの投資を決定したが、これには李副会長の「コロナ以後の市場に備える戦略」が作用したものと思われる。


[キム・ギュシク記者/チョン・ギョンウン記者]



[Maeil Business Newspaper & mk.co.kr, All rights reserved]



每日經濟新聞日本語版は専門翻訳会社O2CNIで代行しています。原文と翻訳の間に多少の違いがあり得ます。

삼성, 반도체에 또 8조원…낸드플래시 격차 벌린다

EUV 파운드리 증설에 이어
평택사업장에 대형 생산라인


◆ 삼성 낸드플래시 8조 투자 ◆삼성전자가 경기도 평택 사업장에 8조여 원을 투자해 최첨단 낸드플래시 생산라인을 새로 구축한다고 1일 밝혔다. 지난달 21일 극자외선(EUV) 기술을 바탕으로 파운드리(반도체 위탁생산) 라인 조성에 10조원을 투입하기로 한 뒤 열흘여 만에 또다시 대형 투자를 결정한 것이다. `2030년 시스템반도체 1위`와 코로나19 이후 `메모리 초격차 유지`를 동시에 달성하겠다는 이재용 삼성전자 부회장의 결단이 담겼다는 평가가 나온다.삼성은 이번 신규 투자를 통해 2021년부터 V낸드플래시를 양산할 계획이다. 낸드플래시는 스마트폰이나 데이터센터 등에 저장장..


プリント ギャップイメージ メール転送 ギャップイメージ リスト



新着ニュース