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サムスン「メモリ製品すべて第4世代V NAND型に」
記事入力 2017-06-16 15:50 | 記事修正 2017-06-26 16:09:04

サムスン電子は半導体部門の独走技術である「第4世代(64段)V NAND(写真)」技術を、すべてのメモリ製品に拡大することにした。また、データを格納するセルを90段まで積み上げらる源泉技術を確保し、「第5世代V NAND型」の時代を開くことができる土台まで整えた。このすべてが世界初だ。競合他社はまだ48段の製品を生産している。

業界ではサムスン電子が、競合他社との技術格差を2年以上広げたものと分析している。

サムスン電子は15日、世界最高の性能と高い信頼性を実現した「第4世代256ギガビット(Gb)V NAND型フラッシュメモリ」を本格的に量産するとともに、サーバ用とPC・モバイル向けのNAND型製品全体に第4世代V NAND型のラインナップを拡大すると明らかにした。 NAND型フラッシュメモリは電源を切ってもデータが保存されるもので、DRAMとともにメモリを代表する半導体だ。特にサムスン電子は、データを格納するセルを製造するときに数十段を積み上げて、狭い空間でも多くの容量を格納できる積層技術であるV NAND型技術をリードしている。

実際にサムスン電子は、64段の第4世代V NAND型製品を昨年8月に世界初公開した後に今年1月から量産に入り、企業間取引(B2B)の顧客を対象とするソリッドステートドライブ(SSD)から供給した。

サムスン電子は今回のモバイル用製品と、一般消費者のためのSSDやメモリカードなどにも第4世代V NAND型を拡大し、今年の年末までに月間生産の割合を50%以上に増やす計画だ。このようにすると、第3世代の製品よりも速度や生産性、電力効率のすべてで30%以上向上する。

第4世代V NAND型製品は現在、京畿道の華城(ファソン)事業所で生産しているが、今月末に完成予定の平沢(ピョンテク)事業所でもまもなく生産に入る予定だ。

サムスン電子は第5世代V NAND型時代を開くための源泉技術も確保したと、今回初めて明らかにした。

V NAND型はセルを数十段ずつ積み重ねるが、一番上から一番下まで数十億個の微細な穴(ホール)を均一にあけて、垂直にセルを造り上げる。問題は段数が高くなるほど構造がずれたり、最上段セルと最下段セルの特性に違いが生じるように、物理的な限界が発生するという点だ。これを克服するために、サムスン電子は「9ホール」という超高集積セル構造・プロセス技術を新たに開発した。層ごとに均一なホールパターンを形成し、全段の荷重を分散する方法で限界を勝ち抜いた。

[ソン・ソンフン記者]



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