MK News

  • 韓国語
  • 英語
  • 中国語
8月 18日 ソウル 27.3℃weather
pre stop next
プリント ギャップイメージ メール転送 ギャップイメージ リスト
サムスン電子、世界初の1Tb半導体チップ開発
記事入力 2017-08-10 16:08 | 記事修正 2017-08-16 16:45:27
サムスン電子は単一の半導体チップでは世界初の1テラビット(Tb)容量のチップを開発した。爪ほどの大きさのチップに、60本以上の高画質の動画を保存することができる。

サムスン電子は8日(現地時間)、米カリフォルニア州のサンタクララ・コンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリサミット2017」で、世界最大容量の「1Tb V NAND型メモリチップ」を初めて公開した。これまでの512ギガビット(Gb)V NAND型チップと比較して容量を2倍に増やした。

1Tbチップはサムスンが誇る第4世代V NAND型技術を採用した。

V NAND型は従来の2次元平面の回路設計をこえて、半導体回路を垂直に積み上げる3次元立体構造だ。半導体の集積度と効率を大幅に向上させたNAND型フラッシュメモリ技術だ。サムスンは世界で唯一、64段まで積み上げたV NAND型製品を量産しており、今回の製品にもこの技術が適用された。

サムスン電子は「1Tb V NAND型メモリチップが適用された最大容量のSSD製品を、2018年に本格的に発売する予定だ」と明らかにした。

[ソン・ソンフン記者]




[Maeil Business Newspaper & mk.co.kr, All rights reserved]



每日經濟新聞日本語版は専門翻訳会社O2CNIで代行しています。原文と翻訳の間に多少の違いがあり得ます。

삼성전자, 세계 최초로 `1Tb 반도체칩` 개발


삼성전자가 단일 반도체칩으로는 세계 최초로 1테라비트(Tb) 용량의 칩을 개발했다. 손톱만 한 크기의 칩 하나에 60편 이상의 고화질 영화를 저장할 수 있다.삼성전자는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 `플래시 메모리 서밋 2017`에서 세계 최대 용량인 `1Tb V낸드`를 처음으로 선보였다고 밝혔다. 기존의 512기가비트(Gb) V낸드 칩과 비교하면 용량을 2배가량 늘렸다. 1Tb 칩에는 삼성이 자랑하는 4세대 V낸드 기술이 활용됐다. V낸드는 기존의 2차원 평면회로 설계를 넘어서 반도체 회로를 수직으로 쌓아올리는 3차원 입체 구조다. 반도체의 집적도와..


プリント ギャップイメージ メール転送 ギャップイメージ リスト



新着ニュース