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サムスン電子、中国・西安工場に8兆投資
記事入力 2018-03-13 17:33 | 記事修正 2018-03-14 16:37:27

サムスン電子はライン増設のために総8兆ウォンを投資して、今月末に中国・西安の半導体工場第2ラインの着工にとりかかる。

半導体業界の関係者は13日、「サムスン電子はシアン工場で3D NAND型フラッシュメモリを主力に生産する第2ラインを今月末に着工することを決定した」と明らかにした。

サムスン電子は、世界的な需要への対応と超格差戦略の維持などのさまざまな対外変数を考慮して、今月末に着工日を決めたという。これによってサムスン電子は、先月の京畿道華城キャンパスで開かれた華城EUVラインの起工式に続き、今月の中国・西安工場2ラインの起工式、年内の平沢第2工場の着工計画に至るまで、一年で華城・平沢・西安など3ヶ所の半導体生産拠点で、新しい半導体生産ラインを一気に推進する記録を立てることになった。

西安工場の第2ラインは2020年までに総8兆ウォンが投入され、NAND型フラッシュメモリの需要増加に備える。サムスン電子は西安の第1ラインを建設する時から、すでに2ラインのための用地を確保している。計画通り増設が進めば、来年商業運転が開始されて3D NAND型フラッシュを集中生産する。

サムスン電子は4世代V NAND型フラッシュメモリを本格的に量産しており、これを高性能ソリッドステートドライブ(SSD)に搭載してプレミアム市場に積極的に参入するなど、グローバルな競争力を大幅に強化している。

半導体業界では西安工場第2ラインが完成すると、サムスン電子のNAND型フラッシュメモリの独走体制はよりいっそうしっかりしたものになると見ている。市場調査機関の「Dラムエクスチェンジ」によると、昨年の第4四半期のサムスン電子のNAND型フラッシュメモリの売上げは、前四半期よりも9.8%増加した61億6960万ドル(約6兆5600億ウォン)に達する。市場シェアも第3四半期の37%から38%に、1%ポイント上昇した。

[イ・ヂェチョル記者]



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