セル（Cell）を垂直に積み上げてメモリの性能を高めるNAND型フラッシュ半導体技術競争でSKハイニックスが238層の積層に成功し、さらに一歩進んだ。先月、米国マイクロンも232層の量産に成功したと発表した。

3日、SKハイニックスは米国サンタクララで開かれた「フラッシュメモリサミット2022（FMS）」で238層512ギガビット（Gb）のTLC（トリプルレベルセル）4D NAND型フラッシュの開発に成功したと明らかにした。同日の行事で新製品のサンプルを公開したSKハイニックスは、来年上半期に本格的に製品量産に突入する予定だ。

2013年にサムスン電子が24層を積み上げた3次元垂直構造NAND型フラッシュメモリを披露し、初めて「積層時代」を開いた。24層だった積層数を約10年ぶりにSKハイニックスが10倍に引き上げたのだ。

また、SKハイニックスは2018年に96層NAND型フラッシュの時からサムスンの3D構造と異なる4D製品を披露した。4Dは3Dと比較すると、単位当たりのセル面積が減りながらも生産効率は高くなる長所があるというのがSKハイニックス側の説明だ。これにより、238層NANDは積層数が高くなっただけでなく世界最小サイズで作られ、前世代の176層より生産性が34%向上した。238層のデータ伝送速度は1秒当たり2.4Gbで、前世代より50%速くなった。また、チップがデータを読む時に使うエネルギー使用量は従来より21%減ったと会社側は説明した。

マイクロンとSKハイニックスが相次いで200層時代を宣言した中、サムスン電子は動きを見せていない。世界のNAND型フラッシュ市場で、今年第1四半期のサムスン電子の市場占有率は35.5%と、20年間トップを守っている。サムスン電子も200層を超える技術はすでに確保しているという。現在、半導体研究所長を受け持っているソン・ジェヒョク副社長は昨年サムスン電子のニュースルームに載せた寄稿文で「サムスン電子はすでに200層を超える第8世代V-NAND型動作チップを確保した状況」とし「市場状況と顧客要求により適期に製品を披露できるよう万全の準備をしている」と伝えた。

[イ・スンフン記者]


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