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サムスン電子、メモリ超格差「200段NAND型を開発中」
記事入力 2021-06-08 17:32 | 記事修正 2021-06-10 15:05:47
サムスン電子のNAND型フラッシュメモリ開発総括役員が「200段以上の超高段の8世代NAND型をまもなく開発し、適期に製品を供給したい」とし、「技術超格差」の青写真を公開した。最近、米マイクロンの急激な追い上げでメモリー半導体の技術格差が狭くなっているという業界の分析が出てきたなかで、メモリ「1強」の位相を揺れることなく守るという宣言とみられる。

ソン・ジェヒョク サムスン電子デバイスソリューション(DS)部門メモリ事業部フラッシュ開発室長(副社長)は8日、サムスン電子のオンラインニュースルームに「次世代NAND型フラッシュが変える未来」という寄稿文を上げて、このように明らかにした。

同氏は「データを保存するNAND型はこれまで2次元構造だったが、限界にぶつかり、サムスン電子は垂直に積み上げた3次元(3D)空間に穴を開け、各層を接続する積層(V)NAND型を世界で初めて開発した」と伝えた。

これとともに「高層マンションだと言えども無条件に高級ということもできだにように、V-NAND型も階層数は似ているが細かい違いがあり、微細な差がものすごい結果を生む」と書いた。マイクロンが176段に積み上げた第7世代3D V-NAND型をサムスン電子に先立って昨年11月に出荷したが、実質の性能はサムスン電子がリードしているという話だ。

ソン・ジェヒョク副社長は「NAND型の微細化」をサムスン電子の優位根拠にあげた。同氏は「V-NAND型の初期は段数が低く、高さに対する悩みは必要なかった、高集積・大容量の要求で段数が上がって物理的な限界を考慮する状況になった」とし、「サムスン電子は3Dスケーリング技術で、半導体セルの平面と高さの両方を減少させて体積を35%まで減らした。サムスン電子の第7世代176段V-NAND型は、他社の100段前半の(旧型)6世代級V-NAND型と高さが似ている」と説明した。つまりサムスン電子のNAND型ははるかに大容量・高性能でありながら、チップの大きさ・高さではマイクロンなどの競合他社の旧型製品よりも小さく低く、効率が高いということだ。

サムスン電子は128段の第6世代のNAND型まではシングルスタックで開発しており、理論上では256段以上のシングルスタック型NANDでも実現可能なことが知られている。マイクロンは正式にはシングルスタックで176段のNANDを量産していると主張しているが、業界ではマイクロンの主張に懐疑的な視線を送っている。

これと関連して、ある業界関係者は「マイクロンは96段のNANDもダブルスタックで開発した」とし、「国内外の専門家らは176段のNANDもダブルスタック基盤の製品と推定している」と語った。

ソン副社長は「業界最小サイズの第7世代V-NAND型を採用した一般消費者用ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)製品を今年下半期最初にリリースする計画だ。データセンター用SSDも7世代V-NAND型をすばやく拡大適用するつもりだ」と語った。

ソン副社長は次世代NAND型の青写真も明らかにした。同氏は「すでに200段以上の第8世代V-NAND型も動作が可能な製品を確保した(作った)」とし、「市場の状況や顧客の要求に応じて、タイムリーに投入できるように万全の準備をしている」と明らかにした。

[イ・ジョンヒョク記者]


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每日經濟新聞日本語版は専門翻訳会社O2CNIで代行しています。原文と翻訳の間に多少の違いがあり得ます。

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