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サムスン電子、8ナノRFプロセス開発... 5G通信チップで超格差
記事入力 2021-06-09 17:11 | 記事修正 2021-06-11 15:17:41
サムスン電子は第5世代(5G)移動通信半導体も10ナノメートル(㎚/1㎚は10億分の1メートル)未満の超微細プロセスを適用した新製品を出荷して、5Gスマートフォンで移動通信基地局からネットワーク機器に至る、グローバルな通信チップ市場を攻略する。

サムスン電子は9日、マルチチャンネルとマルチアンテナをサポートする5G通信用の無線周波数集積回路(RFIC)半導体を量産できる8ナノメートル無線周波数(RF)半導体受託生産(ファウンドリー)プロセスの開発を完了したと明らかにした。

RFICはモデムから出て来るデジタル信号を無線周波数に変換し、逆にモデムチップに伝送したりする無線周波数送受信半導体だ。周波数帯域の変更とデジタル-アナログ信号変換を行うロジック回路と、周波数の受信および増幅を担当するアナログ回路で構成されている。サムスン電子は京畿道器興(きふん)と華城S3ラインに8ナノメートルRFファウンドリプロセスラインを整えて、近いうちに顧客を確保して量産に突入するという目標だ。

サムスン電子によると、今回の8ナノメートルRFプロセスは以前の14ナノに比べて半導体の面積は35%削減しつつ、電力消費効率は35%高めた。半導体チップの面積が小さいほど、電力効率が高いほど高性能だ。サムスン電子は少ない電力消費で信号を大きく増幅できるRF専用半導体素子「RFeFET(RF extremeFET)」を開発し、8ナノメートルプロセスに適用した。これによってプロセスルールが微細化しただけに、発生する周波数増幅と性能低下の問題などを解決できたという説明だ。

サムスン電子は米クアルコムとサムスン電子システムLSI事業部などにRFICを供給している。今後は8ナノメートルプロセスをテコにして、顧客社をさらに増やすことができるだろうと期待される。サムスン電子ファウンドリ事業部技術開発室のイ・ヒョンジン マスターは、「サムスン電子は最尖端のRFファウンドリの競争力を土台に、5Gをはじめとする次世代の無線通信市場を積極的に攻略するつもりだ」と語った。

[イ・ジョンヒョク記者]


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每日經濟新聞日本語版は専門翻訳会社O2CNIで代行しています。原文と翻訳の間に多少の違いがあり得ます。

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